Site icon Teknolojikolik

Samsung, 2nm üretim süreciyle rekabete dahil oluyor: 2025’te birinci eserler çıkacak

Samsung, Haziran ayındaki VLSI Sempozyumu 2024’te gate-all-around (GAA) transistörlerini içeren üçüncü nesil üretim sürecinin ayrıntılarını paylaşacak. Şirketin SF2 adını verdiği ilk 2nm üretim süreci, performans ve verimlilik açısından değerli iyileştirmeler sunacak.

Önemli performans ve verimlilik iyileştirmeleri sunacak

Samsung, 3nm GAA sürecini 2022’de duyurmuştu. Görünüşe nazaran şirket, TSMC üzere 3nm’de üç adet yineleme yapmayı düşünüyor. GAA transistörlerin avantajlarından faydalanan Samsung, bu sayede küçülen transistörlerdeki akım kaçaklarını azaltarak, akım akışını daha âlâ denetim edebiliyor. Samsung, GAA’nın transistör performansını %11 ile %46 ortasında arttırdığını, değişkenliği %26 ve akım kaçaklarını %50 azalttığını belirtiyor.

Business Korea’nın haberine nazaran Samsung sadece teknolojik sonları zorlamakla kalmayıp tıpkı vakitte 2nm sınıfı üretim süreci için ekosistemini de güçlendiriyor. Şirket, 50’den fazla fikri mülkiyet ortağıyla çalışıyor ve 4.000’den fazla patente sahip. Bu yılın başlarında Samsung ve Arm, Cortex-X ve Cortex-A çekirdeklerini Samsung’un GAA tabanlı üretim teknolojileri için optimize etmek üzere bir mutabakat imzalamıştı.

Samsung’un SF2 sürecinin tasarım altyapısını geliştirmeyi 2024’ün ikinci çeyreğinde tamamlaması bekleniyor. Koreli dev ayrıyeten, ikinci kuşak 3nm üretim süreci SF3‘ü kullanan çiplerin üretimine başlamayı da planlıyor. Birinci kuşakta üretim verimliliği yakalayamayan, münasebetiyle müşterilerin ilgisini çekemeyen Samsung, ikinci jenerasyon 3nm sürecinden umutlu.

Samsung’un bu yaz tasarım özelliklerini detaylarıyla açıklamasıyla birlikte, 2025 yılında SF2 üzerine inşa edilen birinci ürünleri görmeyi bekliyoruz. Samsung SF2 süreciyle, TSMC’nin 2nm düğümüne ve Intel’in 18A (1.8nm) teknolojisine rakip olmaya çalışacak.

Exit mobile version